الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Ab initio calculations of surface structure and electronic properties caused by adsorption of Ca atoms on a Si(1 1 0) surface
Ab initio calculations of surface structure and electronic properties caused by adsorption of Ca atoms on a Si(1 1 0) surface
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
The adsorption of Ca metals onto a Si(1 1 0) surface has been theoretically investigated by first-principle total-energy calculations. We employed a local density approximation of the density functional theory as well as a pseudopotential theory to study the atomic and electronic properties of the Ca/Si(1 1 0) structure. The (1×1) and (2×1) surface structures were considered for Ca coverages of 0.5 and 0.25 ML, respectively. It is found that the (1×1) phase is not expected to occur even for rich Ca regime. It was found that Ca adatoms are adsorbed on top of the surface and form a bridge with the uppermost Si atoms. The most stable structure of Ca/Si(1 1 0)(2×1) surface produces a semiconducting surface band structure with a direct band gap that is slightly smaller than that of the clean surface. We have observed one filled and two empty surface states in the gap region. These empty surface states originated from the uppermost Si dangling bond states and the Ca 4s states. Furthermore, the CaSi bonds have an ionic nature with almost complete charge transfer from Ca to the surface Si atoms. The structural parameters of the ground state atomic configuration are detailed and compared with the available results of metal-adsorbed Si(1 1 0) surface, Ca/Si(0 0 1), and Ca/Si(1 1 1) structures.
ردمد
:
0921-4526
اسم الدورية
:
Physica B: Condensed Matter
المجلد
:
406
العدد
:
10
سنة النشر
:
1432 هـ
2011 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, February 15, 2012
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
علي زين الزهراني
AlZahrani, Ali Z
باحث
دكتوراه
alizain2000@hotmail.com
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
32297.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث